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秦福文

副教授硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：科技园c座303-2
联系方式：qfw@dlut.edu.cn
电子邮箱：qfw@dlut.edu.cn

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在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法

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发表时间：2022-10-10

发表刊物：半导体光电

卷号：24

期号：1

页面范围：45-47

ISSN号：1001-5868

备注：新增回溯数据

上一条：在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性

下一条：基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性