氮化镓（GaN）基薄膜及器件的ECR-PEMOCVD低温生长研究（室温至600℃）；

氮化硅（Si3N4）及氧化铝（Al2O3）薄膜的低温生长研究；

氮化碳（g-C3N4）及二硫化钼（MoS2）等二维薄膜材料的低温生长研究。

玻璃、金刚石、氮化镓及金属衬底上氧化镓（Ga2O3）薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究（室温至500℃）