氮化镓基薄膜（GaN、AlN、InN）及器件的ECR-PEMOCVD低温生长研究（室温至600℃）；

氮化硅（Si3N4）及氧化铝（Al2O3）薄膜的低温生长研究；

玻璃、金刚石、氮化镓及金属衬底上氧化镓（Ga2O3）薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究（室温至500℃）。