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项目名称：SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究

负责人姓名：王德君

项目参与人员：秦福文,梁大成

项目来源：国家自然科学基金项目

项目子类：面上项目

项目状态：结题

项目来源单位：国家自然科学基金委员会

项目性质：纵向

项目批准号：61874017

立项时间：2018-08-16

计划完成时间：2022-12-31

开始日期：2019-01-01

结项日期：2023-03-31

发布时间：2019-03-21