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论文类型：会议论文

发表时间：2011-05-17

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关键字：InxGa1-xN(0.1<x<0.56)薄膜;低温生长;C轴择优取向

摘要：采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在蓝宝石(0001)衬底上低温外延生长了不同铟组分的InxGa1-xN(0.1<x<0.56)薄膜。实验以三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)和高纯氮气(N2)分别作为镓源、铟源和氮源,以氢气为载气在550℃的温度和4.0×10-4Pa的气压下进行生长。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、Zygo3D表面轮廓仪等表征方法,对不同铟组分的InGaN薄膜进行了测试,研究了其结构、表面形貌等特性,最后得到了高质量的沿C轴择优取向的InGaN薄膜。其厚度大约为200nm。