点击次数：

发布时间：2019-03-11

论文类型：期刊论文

发表时间：2015-01-01

发表刊物：固体电子学研究与进展

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

卷号：35

期号：2

页面范围：191

ISSN号：1000-3819

关键字：碳化硅; 金属氧化物半导体电容; 氧化膜经时击穿; 氮等离子体氧

摘要：SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC
   MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质
   方面上的分析。经分析氮等离子体处理8
   min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退
   火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。