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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2002-04-30

发表刊物：半导体光电

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU

卷号：23

期号：2

页面范围：114-117

ISSN号：1001-5868

关键字：ECR-PEMOCVD;量子点;AFM;GaN

摘要：报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出GaN量子点.原子力显微镜(AFM)测量表明成核密度高达1010cm-2,量子点直径约为30nm.采用300℃低温氮化,600℃退火和500℃缓冲层,600℃退火工艺制备.GaN量子点的密度和大小由制备温度和时间所控制.最后讨论了量子点成核的机制.