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发布时间：2019-03-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2013-06-25

发表刊物：固体电子学研究与进展

收录刊物：Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

卷号：33

期号：3

页面范围：211-214

ISSN号：1000-3819

关键字：二氧化硅/碳化硅界面;金属氧化物半导体电容;氮钝化;界面态密度;Gray-Brown法

摘要：降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价.氧化膜击穿电场为9.92 MY/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69 eV.使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底Ec0.05～0.6 eV范围内的界面态分布,其中距Ec0.2 eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1.实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性.