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论文类型：期刊论文

发表时间：2009-12-25

发表刊物：固体电子学研究与进展

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：29

期号：4

页面范围：621-625

ISSN号：1000-3819

关键字：碳化硅 碳化钛 电子回旋共振氢等离子体 欧姆接触 比接触电阻 SiC TiC electronic cyclotron resonance hydrogen plasma ohmic contact specific contact resistivity

摘要：利用电子回旋共振(ECR)氢等离子体处理n型4H-SiC(0.5～1.5×10~(19)cm~(-3))表面,采用溅射法制备碳化钛(TiC)电极,并在低温(<800℃)条件下退火.直线传输线模型(TLM)测试结果表明,TiC电极无需退火即可与SiC形成欧姆接触,采用ECR氢等离子体处理能明显降低比接触电阻,并在600℃退火时获得了最小的比接触电阻2.45×10~(-6)Ω·cm~2;当退火温度超过600℃时,欧姆接触性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明ECR氢等离子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果.利用X射线衍射(XRD)分析了不同退火温度下TiC/SiC界面的物相组成,揭示了电学特性与微观结构的关系.