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发布时间：2019-03-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2009-09-25

发表刊物：固体电子学研究与进展

收录刊物：Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

卷号：29

期号：3

页面范围：334-338,416

ISSN号：1000-3819

关键字：碳化硅;氢等离子体;电子回旋共振等离子体;反射式高能电子衍射;X射线光电子能谱

摘要：采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控.在200℃～700℃温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构.用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低.