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    秦福文

    • 副教授     硕士生导师
    • 性别：男
    • 毕业院校：大连理工大学
    • 学位：博士
    • 所在单位：物理学院
    • 学科：凝聚态物理
    • 办公地点：科技园c座303-2
    • 联系方式：
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    一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法

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      专利名称：一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法

      第一作者：王德君

      发明设计人：秦福文

      授权号：201510735852.x

      发布时间：2019-03-09


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