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    秦福文

    • 副教授       硕士生导师
    • 性别：男
    • 毕业院校：大连理工大学
    • 学位：博士
    • 所在单位：物理学院
    • 学科：凝聚态物理
    • 办公地点：科技园c座303-2
    • 联系方式：qfw@dlut.edu.cn
    • 电子邮箱：qfw@dlut.edu.cn

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    一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法

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    第一作者：王德君

    发明设计人：秦福文,杨超,尹志鹏

    申请号：CN201810796522.5

    授权日期：2018-07-19

    授权号：CN109003895A


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