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    秦福文

    • 副教授     硕士生导师
    • 性别：男
    • 毕业院校：大连理工大学
    • 学位：博士
    • 所在单位：物理学院
    • 学科：凝聚态物理
    • 办公地点：科技园c座303-2
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    一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法

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      专利名称：一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法

      第一作者：王德君

      发明设计人：尹志鹏,杨超,秦福文

      申请号：CN201810796522.5

      授权日期：2018-07-19

      授权号：CN109003895A

      发布时间：2019-10-10


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