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    秦福文

    • 副教授     硕士生导师
    • 性别：男
    • 毕业院校：大连理工大学
    • 学位：博士
    • 所在单位：物理学院
    • 学科：凝聚态物理
    • 办公地点：科技园c座303-2
    • 联系方式：
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    金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法

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      专利名称：金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法

      第一作者：秦福文

      发明设计人：刘勤华,林国强

      申请号：201210247142.9

      授权日期：2012-07-17

      授权号：ZL201210247142.9

      发布时间：2019-11-07


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