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专利名称：一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法

第一作者：王德君

发明设计人：孙雨浓,杨超,秦福文

所属单位：电子信息与电气工程学部

申请号：CN109103078A

授权号：CN201811163899.3

发布时间：2022-10-19