秦福文
开通时间:..
最后更新时间:..
点击次数:
第一作者:王德君
发明设计人:孙雨浓,杨超,秦福文
所属单位:电子信息与电气工程学部
申请号:CN109103078A
授权号:CN201811163899.3
上一条:一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法
下一条:一种采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备