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论文类型：会议论文

发表时间：2004-11-01

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关键字：离子注入(PSⅡ);PECVD;氟化类金刚石(FDLC)

摘要：本文选用CH4和CHF3作为源气体,通过PSⅡ+PECVD方法,在316不锈钢和单晶硅基体上制备氟化类金刚石膜。通过傅立叶变换红外吸收光谱仪(FT-IR)和Raman光谱仪对薄膜的化学键结构和成分进行分析,图1和图2表明薄膜中含有C-F、C-H、O-H键,而且该膜具有典型的类金刚石结构。采用原子力学显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌,图3表明由PSⅡ+CVD制备的氟化类金刚石膜表面平滑,均一性好,表面状态优于由PSⅡ方法制备的薄膜。通过显微硬度测量仪、划痕试验对薄膜结合力性能进行分析,表明该膜的硬度和结合力高于由CVD制备的薄膜。