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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：德国卡尔斯鲁厄工业大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学. 微电子学与固体电子学
办公地点：辽宁省大连市高新园区凌工路2号
大连理工大学新三束实验室412
电子邮箱：zhoudayu@dlut.edu.cn
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衬底温度对直流反应磁控溅射TiN电极薄膜显微结构及导电性能的影响
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论文类型：期刊论文
发表时间：2017-08-30
发表刊物：功能材料
收录刊物：Scopus、CSCD
卷号：48
期号：8
页面范围：203-207
ISSN号：1001-9731
关键字：TiN;电极薄膜;衬底温度;电阻率
摘要：二氧化铪基新型铁电薄膜器件等研究提出了在低衬底温度下制备高导电性和低表面粗糙度纳米超薄TiN电极薄膜的迫切需求.利用直流反应磁控溅射方法在单晶硅基片上制备TiN薄膜,衬底温度范围从室温~350 ℃,以XPS、XRD、AFM以及XRR等为主要手段对薄膜样品的成分、物相、表面粗糙度以及厚度和密度等进行了表征分析.结果表明在350 ℃的较低衬底温度下,通过减少溅射沉积时间可获得厚度<30 nm的高导电性TiN电极薄膜.