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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：德国卡尔斯鲁厄工业大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学. 微电子学与固体电子学
办公地点：辽宁省大连市高新园区凌工路2号
大连理工大学新三束实验室412
电子邮箱：zhoudayu@dlut.edu.cn
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钇掺杂量和膜厚对HfO2纳米薄膜相结构的影响
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论文类型：期刊论文
发表时间：2017-10-30
发表刊物：功能材料
收录刊物：CSCD
卷号：48
期号：10
页面范围：10154-10158
ISSN号：1001-9731
关键字：HfO2薄膜;相变;钇含量;膜厚;溶胶-凝胶
摘要：二氧化铪(HfO2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响.采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析,明确了四方/立方相在室温下稳定的临界钇掺杂量和临界膜厚条件,并对薄膜介电系数随晶相结构的演变以及漏电流进行了测试分析,研究结果对于HfO2材料的微纳电容器件应用具有重要参考价值.