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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：威尔大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：微机电工程
办公地点：机械工程学院2号楼214-2
联系方式：办公电话：0411-84709754
电子邮箱：zouhl@dlut.edu.cn
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硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究
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论文类型：期刊论文
发表时间：2015-11-15
发表刊物：仪表技术与传感器
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
期号：11
页面范围：1-3,14
ISSN号：1002-1841
关键字：深反应离子刻蚀;刻蚀钝化时间比;射频功率;黑硅;SiO2 薄膜
摘要：文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀（ DRIE）工艺过程。首先，研究了DRIE刻蚀钝化时间比（TSF 6∶TC4F8）对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化，采用刻蚀钝化时间比分别为9 s／2 s、11 s／2 s（ C4 F8下电极射频功率为40 W）和11 s／2 s（ C4 F8下电极射频功率为0 W）的三步刻蚀工艺，贯穿刻蚀了宽度为150μm，深度为300μm的直壁沟槽。其次，研究了C4 F8（八氟环丁烷）钝化气体对SiO2薄膜过刻蚀的现象，采用降低C4 F8下电极射频功率方法，减小了 C4 F8对SiO2薄膜过刻蚀。