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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-01-25

Journal:真空

Included Journals:PKU、ISTIC

Volume:46

Issue:1

Page Number:17-21

ISSN No.:1002-0322

Key Words:CNx薄膜;N/C比;折射率;介电常数;电子极化

Abstract:利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR PEUMS)系统,在室温下制备CNx薄膜.通过傅立叶变换红外光谱、X光电子能谱表征技术以及椭偏仪测试手段,研究了N含量对CNx薄膜结构和介电性能的影响.研究结果表明,随着CNx薄膜N/C比的增大,sp3 C-N的形成受到抑制,sp2 C-N的形成增多,薄膜折射率以及介电常数电子极化贡献部分降低.