等离子体源辅助磁控溅射法低温(200℃)制备多晶硅薄膜
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2012-05-25
Journal: 真空
Included Journals: ISTIC
Volume: 49
Issue: 3
Page Number: 47-50
ISSN: 1002-0322
Key Words: 多晶硅薄膜;电感耦合等离子体;磁控溅射;拉曼散射;红外光谱
Abstract: 利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射技术在200℃成功制备出多晶硅薄膜.详细介绍了等离子体源辅助磁控溅射技术制备多晶硅的工艺过程,并对辅助等离子体源放电功率对硅薄膜结晶度的影响进行了研究.利用拉曼散射、X射线衍射、傅里叶红外光谱对所制备的硅薄膜进行了表征.