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First Author:Wenqi Lu
Disigner of the Invention:dengxinlv,刘佳宏,XU Jun,dongchuang
Affilication of Author(s):物理学院
Application Number:CN1988106
Authorization number:CN200610134481.0
Pre One:一种采用反应磁控溅射制备二氧化铪基铁电薄膜的方法
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