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alpha-Al_2O_3上生长GaN过程中氮化的研究

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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2007-01-01

Journal:红外与激光工程

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:36

Issue:5

Page Number:721-724

ISSN No.:1007-2276

Key Words:蓝宝石; 氮化; 氮化镓; 等离子体

Abstract:在自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-EMOCVD)装置上生长氮化镓(GaN)薄膜,以氮等离子体为氮源,三乙基
   镓(TEG)为镓源,蓝宝石(alpha-Al_2O_3)为衬底.通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、射线衍射实验数据分析,研究了ECR等离子体所
   产生的活性氢源和氮源对蓝宝石(alpha-Al_2O_3)村底的氮化作用,结果表明:在ECR等离子体中,不掺入氢气,温度较低时可以明显提高alp
   ha-Al_2O_3衬底的氮化效果,获得平整的氮化层,且生长的氮化镓缓冲层质量是最好的.

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