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ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体的研究

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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2006-09-01

Page Number:422-427

Key Words:稀磁半导体薄膜;ECR-PEMOCVD;GaMnN基;电子回旋共振;等离子体增强;金属有机化学气相沉积;外延生长;拉曼光谱

Abstract:本文利用ECR-PEMOCVD(电子回旋共振-等离子体增强金属有机化学气相沉积)方法,采用二茂锰作为锰源,氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为镓源,在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半导体薄膜.并通过XRD、AFM、RHEED、电子探针、拉曼光谱等分析手段对样品进行了分析.

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