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在金属基底上制作高深宽比金属微光栅的方法

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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2015-03-15

Journal:光学精密工程

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:23

Issue:3

Page Number:700-707

ISSN No.:1004-924X

Key Words:金属微光栅;高深宽比;UV-LIGA工艺;SU-8厚胶;微电铸

Abstract:根据光学领域对高深宽比金属微器件的需求,利用UV-LIGA工艺在金属基底上制作了具有高深宽比的金属微光栅.采用分层曝光、一次显影的方法制作了微电铸用SU-8胶厚胶胶模,解决了高深宽比厚胶胶模制作困难的问题.由于电铸时间长易导致铸层缺陷,故采取分次电铸等措施得到了电铸光栅结构;同时通过线宽补偿的方法解决了溶胀引起的线宽变小问题.在去胶工序中,采用“超声-浸泡-超声”循环往复的方法.最终,制作了周期为130 μm、凸台长宽高为900 μm×65 μm×243 μm的金属微光栅,其深宽比达到5,尺寸相对误差小于1%,表面粗糙度小于6.17 nm.本文提出的工艺方法克服了现有方法制作金属微光栅时高度有限、基底易碎等局限性,为在金属基底上制作高深宽比金属微光栅提供了一种可行的工艺参考方案.

Pre One:金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究

Next One:Quantitative relationship between crystallite size and adhesion strength of the electroforming layer during microelectroforming process