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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2013-08-15
Page Number:290-290
Key Words:等离子体密度;离子能量;等离子体源;工作气压;刻蚀工艺;感应耦合;辅助加工;半导体芯片;电子密度;发光强度;
Abstract:引言射频感应耦合等离子体源(ICP)具有等离子体密度高(10~(11)-10~(12)cm~(-3))、工作气压低(0.1-100 mTorr)、独立的控制离子能量和等离子体密度及装置结构简单等优点,从而被广泛地应用于等离子体辅助加工领域,尤其是应用于半导体芯片刻蚀工艺。众所周知,ICP存在两种运行模式:E模式和H模式。E模式是由线圈两端的电压降来
