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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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GaN MOSFET的设计制作及其表征
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论文类型：期刊论文
发表时间：2012-12-20
发表刊物：电力电子技术
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：46
期号：12
页面范围：81-83
ISSN号：1000-100X
关键字：金属氧化层半导体场效应晶体管;结构;表征
摘要：探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析.实验结果表明,采用掺杂AlGaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm2·V-1·s-1,界面态密度达1.31×1011个/(cm2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构.