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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-12-20

发表刊物：电力电子技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：46

期号：12

页面范围：69-71

ISSN号：1000-100X

关键字：金属氧化层半导体界面;欧姆接触;电子回旋共振微波等离子体

摘要：SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiC MOS器件的关键技术.针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题,采用电子回旋共振(ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理,研究了低温退火条件下Ti/4H-SiC欧姆接触特性.Ⅰ-Ⅴ电学测试结果表明,经氢等离子体处理(HPT)后的样品无需退火即可形成欧姆接触,利用圆形传输线模型测得比接触电阻率为2.25×10-3Ω·cm2,随着退火温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃退火后获得最小的比接触电阻率2.07× 10-4Ω·cm2.针对SiC MOS界面态密度过高的问题,采用ECR微波氮氢混合等离子体对SiC MOS界面进行退火处理,Ⅰ-Ⅴ和C-V电学测试结果显示,氮氢混合等离子体处理可在不破坏氧化膜质量的前提下,使费米能级附近的界面态密度降至1.14×1012 cm-2·eV-1.