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发布时间：2019-03-11

论文类型：期刊论文

发表时间：2016-01-01

发表刊物：固体电子学研究与进展

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

卷号：36

期号：1

页面范围：71-77

ISSN号：1000-3819

关键字：碳化硅; 可靠性; 电子回旋共振等离子体; 表面处理; 经时击穿

摘要：研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC
   MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样品绝缘
   性、击穿电荷量及寿命等可靠性能均明显提高,再经过ECR氮氢混合等离子体表面处理后样品可靠性进一步提升,预计在3MV/cm场强下平均寿命可达到10
   年左右。通过C-V特性测试及界面组成分析对改善样品可靠性的物理机理进行研究,发现ECR氮氢混合等离子体处理可以有效的降低界面态密度,其中氧化后退
   火处理很好地钝化了SiO_xC_y和碳团簇等界面缺陷,而表面处理使SiC表面平整化,有效降低表面态密度,抑制了界面态的产生,进而共同增强了SiC
   MOS电容的可靠性。