大连理工大学主页平台管理系统秦福文--中文主页-- The Preparation and Charateristics of InxGa1-xN（0.06 ≤x≤ 0.58） Films

秦福文

访问量：

开通时间：..

最后更新时间：..

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

The Preparation and Charateristics of InxGa1-xN（0.06 ≤x≤ 0.58） Films

点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2011-01-01

发表刊物：中国物理快报

卷号：28

期号：10

页面范围：108104-108104

上一条：Influence of N2 flux on film deposition on sapphire(0001) substrates by ECR－PEMOCVD

下一条：Deposition and properties of highly C-oriented GaN films