秦福文
开通时间:..
最后更新时间:..
点击次数:
论文类型:期刊论文
发表时间:2011-01-01
发表刊物:Applied physics A
卷号:102
期号:2
页面范围:353-358
上一条:The Preparation and Charateristics of InxGa1-xN(0.06 ≤x≤ 0.58) Films
下一条:Influence of N2 Flux on the Improvement of Highly c-oriented GaN Films on Diamond Substrates