大连理工大学主页平台管理系统秦福文--中文主页-- Influence of N2 Flux on the Improvement of Highly c-oriented GaN Films on Diamond Substrates

秦福文

访问量：

开通时间：..

最后更新时间：..

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Influence of N2 Flux on the Improvement of Highly c-oriented GaN Films on Diamond Substrates

点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2011-01-01

发表刊物：Vacuum

收录刊物：ISTIC

卷号：85

期号：7

页面范围：725-729

上一条：Deposition and properties of highly C-oriented GaN films

下一条：Influence of N2 Flux on the Improvement of Highly c-oriented GaN Films on