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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2006-05-03

发表刊物：半导体技术

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU

卷号：31

期号：5

页面范围：342-345

ISSN号：1003-353X

关键字：多晶硅薄膜;化学汽相淀积;低温

摘要：采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法.当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜.沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响.通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质.