大连理工大学主页平台管理系统秦福文 Chemical and electronic passivation of 4H-SiC surface by hydrogen-nitrogen mixed plasma (vol 104, 202101, 2014) 中文主页

秦福文

访问量：

开通时间：..

最后更新时间：..

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Chemical and electronic passivation of 4H-SiC surface by hydrogen-nitrogen mixed plasma (vol 104, 202101, 2014)

点击次数：

发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2014-06-30

发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS

收录刊物：SCIE

卷号：104

期号：26

ISSN号：0003-6951

上一条：蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究

下一条：Plasma pretreatment of GaAs substrates and ECR-PAMOCVD of cubic GaN