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论文类型：期刊论文

发表时间：2002-03-15

发表刊物：材料导报

收录刊物：ISTIC、CSCD

卷号：16

期号：1

页面范围：31-35

ISSN号：1005-023X

关键字：GaN;外延生长;掺杂;半导体器件

摘要：GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.