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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2003-03-20

发表刊物：激光与光电子学进展

收录刊物：CSCD

卷号：40

期号：3

页面范围：45-49

ISSN号：1006-4125

关键字：GaN;半导体激光器;多量子阱

摘要：简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展.