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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2003-02-28

发表刊物：半导体光电

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU

卷号：24

期号：1

页面范围：32-36

ISSN号：1001-5868

关键字：AlN;GaN;氢等离子体清洗;氮化

摘要：采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在α-Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜.