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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-07-15

发表刊物：半导体学报

收录刊物：Scopus、EI、CSCD

卷号：28

期号：7

页面范围：1053-1057

ISSN号：0253-4177

关键字：ECR-PEMOCVD;稀磁半导体;GaMnN;室温铁磁性;居里温度

摘要：利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.