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论文类型：期刊论文

发表时间：2005-01-01

发表刊物：华中科技大学学报（自然科学版）

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：33

期号：5

页面范围：88-91

ISSN号：1671-4512

关键字：电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积;GaN;氢等离子体;氮化

摘要：针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明, 在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1 min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2 min以上表面质量开始变坏.若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10 min左右.而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2 min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4 min,表面质量将开始变坏.如果采用氢氮等离子体清洗,约需20 min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30 min)内都能获得良好的清洗表面.