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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-10-15

发表刊物：半导体光电

收录刊物：Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：28

期号：5

页面范围：685-689

ISSN号：1001-5868

关键字：多晶硅薄膜;中间层;ECR-PECVD

摘要：采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.