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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：1998-03-04

发表刊物：稀有金属

收录刊物：PKU

卷号：22

期号：2

页面范围：143-145

ISSN号：0258-7076

关键字：立方GaN;低温生长;活化氮源;ECR-PAMOCVD

摘要：研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.