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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：1997-01-01

发表刊物：核聚变与等离子体物理

收录刊物：CSCD、PKU

卷号：17

期号：3

页面范围：45

ISSN号：0254-6086

关键字：电子能量分布; 空间电位; 麦克斯韦分布; 活化作用

摘要：为了对ＧａＮ薄膜低温生长提供更多的活性氮，在一个腔耦合电子回旋共振（ＥＣＲ）半导体加工装置上，用朗谬探针和二次微分理论，研究了氮ＥＣＲ等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布，含有高能电子，而且随着放电气压的下降和微波功率的增加，高能电子成分增加。