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发布时间：2019-10-10

论文类型：期刊论文

发表时间：1998-02-14

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU

期号：01

页面范围：38-40

ISSN号：1003-353X

关键字：氮化镓;MOCVD;等离子体低温外延

摘要：给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）技术和在低温（≤６００℃）、极低气压（≤１Ｐａ）下生长ＧａＮ外延膜的装置、工艺及实验结果。并与以往的ＧａＮ外延技术进行了比较，说明了这种新的低温外延技术的独特优点。