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论文类型：会议论文

发表时间：2000-06-30

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关键字：蓝光发光二极管;异质外延;半导体材料;激光谐振腔;ECR;GaN;激光二极管;薄膜生长;发光材料;亚稳相;

摘要：GaN由于其是宽直接带系(其三元合金GaAIN,GaInN的能隙1.9～6.2eV)发光材料,是近年国际上的研究热点,尽管已有商用GaN蓝光发光二极管投入生产,但其激光二极管(LD)尚在研究开发当中。问题在于用六方GaN(h-GaN)基材料刻蚀与磨制平行的激光谐振腔面的加工成本高,成品率低,而制备蓝光LD的理想材料——立方GaN(c-GaN)是GaN的亚稳相,又由于没有与其匹配的衬底,在高温下异质外延c-GaN时极易混入h-GaN,故很难获得高结晶品质的c-GaN单晶薄膜,这就成了当前半导体材料领域有待攻克的一个难