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论文类型：期刊论文

发表时间：2001-12-30

发表刊物：发光学报

收录刊物：PKU

期号：S1

页面范围：24-28

ISSN号：1000-7032

关键字：ECR-PEMOCVD;氮化;缓冲层;立方GaN;氢等离子体

摘要：我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响。发现氮化时在氮等离子体中加入氢等离子体对于立方GaN薄膜生长具有显著影响。和氮化过程中不加入氢等离子体相比 ,氮化过程中加入氢等离子体生长出的外延膜其X射线衍射 (XRD)半高宽 (FWHM)可以最高降低 4 0 %以上。原子力显微镜 (AFM)观察表明 :在N2  H2 混合等离子中氮化过的衬底上外延的缓冲层表面变得更为平滑 ,晶粒也变得粗大。最后 ,我们提出了一个化学模型对上述结果进行了分析和解释。