大连理工大学主页平台管理系统秦福文--中文主页-- Plasma passivation of near-interface oxide traps and voltage stability in SiC MOS capacitors

秦福文

副教授硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：科技园c座303-2
联系方式：qfw@dlut.edu.cn
电子邮箱：qfw@dlut.edu.cn

访问量：

开通时间：..

最后更新时间：..

同专业硕导
个人学术主页

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Plasma passivation of near-interface oxide traps and voltage stability in SiC MOS capacitors

点击次数：

发表时间：2022-10-08

发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

卷号：125

期号：18

ISSN号：0021-8979

上一条：Passivation of SiO2/4H-SiC interface defects via electron cyclotron resonance hydrogen-nitrogen mixed plasma pretreatment for SiC surface combined with post-oxidation annealing

下一条：Plasma pretreatment of GaAs substrates and ECR-PAMOCVD of cubic GaN