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Oxygen vacancy formation and uniformity of conductive filaments in Si-doped Ta2O5 RRAM

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发表时间：2022-10-07

发表刊物：APPLIED SURFACE SCIENCE

卷号：560

ISSN号：0169-4332

关键字："Ta2O5 RRAM; Si dopant; Oxygen vacancy; Conductive filament; First principle"

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