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发布时间：2019-03-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2009-06-25

发表刊物：固体电子学研究与进展

收录刊物：Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

卷号：29

期号：2

页面范围：310-314

ISSN号：1000-3819

关键字：二氧化硅/碳化硅界面;金属氧化物半导体电窖;氮等离子体;界面态密度

摘要：降低SiO2/SiC界面态密度是SiC MOS器件研究中的关键技术问题.采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96 MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70 eV.同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV.实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性.