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论文类型：期刊论文

发表时间：2009-08-15

发表刊物：半导体光电

收录刊物：Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：30

期号：4

页面范围：558-561

ISSN号：1001-5868

关键字：ECR-PECVD;氮化硅薄膜;沉积速率;表面形貌

摘要：/min.薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低,粗糙度最低为0.89 nm,说明薄膜的表面质量较高.