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论文类型：期刊论文

发表时间：2010-07-15

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：30

期号：4

页面范围：445-449

ISSN号：1672-7126

关键字：GaN TMGa流量 化学气相沉积 玻璃衬底 低温

摘要：采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积CaN薄膜.利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌.结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4 cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110 nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成.