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论文类型：期刊论文

发表时间：2010-04-15

发表刊物：人工晶体学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：39

期号：2

页面范围：299-303

ISSN号：1000-985X

关键字：掺铝氧化锌衬底 GaN薄膜 低温生长

摘要：利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.