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专利名称：一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法

第一作者：王德君

发明设计人：秦福文,杨超,孙雨浓

申请号：CN201811163919.7

授权日期：2018-10-03

授权号：CN109270423A

发布时间：2019-10-10